[发明专利]从基板去除污染物质的方法和装置无效
| 申请号： | 201080017053.4 | 申请日： | 2010-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102405276A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赫尔穆特·特雷克尔;戴夫·博林;杰夫·法伯 | 申请（专利权）人： | 太阳索尼克斯公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： |
本发明提供了一种用于从基板去除污染金属以改善电气性能的方法。阳离子金属已知对绝缘体或半导体基板的电气性能是特别有害的。该方法包括将基板接触下列结构式(1)的至少一种化合物的水性溶液：其中，n在每种情况中是独立的0和6之间的整数值，X在每种情况中是独立的H、NR4、锂、钠或钾，以及至少一个X是NR4；R在每种情况中是独立的H或C1-C6烷基，以改善基板的电气性能。一种用于制备这种溶液的试剂盒包括1-20总重量百分比的结构式(I)的至少一种化合物的浓水剂。该试剂盒还提供了用于浓水剂稀释以形成该溶液的操作指南。 |
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| 搜索关键词： | 去除 污染 物质 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于从绝缘体或半导体基板去除污染金属以改善电气性能的方法，其特征在于，包括：将基板接触下列结构式的至少一种化合物的水性溶液：![]()
其中，n在每种情况中是独立的0和6之间的整数值，X在每种情况中是独立的H、NR4、锂、钠或钾；R在每种情况中是独立的H或C1-C6烷基，以改善基板的电气性能。
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