[发明专利]从基板去除污染物质的方法和装置

权利要求书

1.一种用于从绝缘体或半导体基板去除污染金属以改善电气性能的方法，其特征在于，包括：

将基板接触下列结构式的至少一种化合物的水性溶液：

其中，n在每种情况中是独立的0和6之间的整数值，X在每种情况中是独立的H、NR₄、锂、钠或钾；R在每种情况中是独立的H或C₁-C₆烷基，以改善基板的电气性能。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在接触步骤之前或同时从基板去除原生氧化物。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，其中结构式I的化合物以5至1000ppm之间的浓度存在，并至少一个X是NR₄。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中结构式I的化合物是乙二胺二琥珀酸，X在三种情况下是NR₄，化合物以10至500ppm之间的浓度存在。

5.根据权利要求1-4所述的方法，其特征在于，其中所述水性溶液含有至少一种过氧化物或无机酸。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述水性溶液是SC1或SC2。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述无机酸是氯化氢的、含氮的或含氟化氢的。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述水性溶液是一种碱。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述碱是氢氧化钾或氢氧化铵。

10.根据权利要求1-9所述的方法，其特征在于，其中所述基板是硅，污染金属是铁。

11.一种用于从硅基板去除污染金属的方法，其特征在于，包括：

从原生硅基板去除原生氧化物；

去除原生氧化物后用包括下列结构式的至少一种化合物的水性碱性溶液进行基体蚀刻和表面粗糙化：

其中，n在每种情况中是独立的0和6之间的整数值，X在每种情况中是独立的H、NR₄、锂、钠或钾；R在每种情况中是独立的H或C₁-C₆烷基。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，其中结构式I的化合物以5至1000ppm之间的浓度存在。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，其中结构式I的化合物是乙二胺二琥珀酸，X在三种情况下是NR₄，化合物以10至500ppm之间的浓度存在。

14.根据权利要求11-13所述的方法，其特征在于，其中所述水性溶液含有至少一种过氧化物或无机酸。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，其中所述水性溶液是SC1或SC2。

16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，其中所述无机酸是氯化氢的、含氮的或含氟化氢的。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述水性溶液是一种碱。

18.一种用于制备从绝缘体或半导体基板去除污染金属以改善电气性能的溶液的试剂盒，其特征在于，包括：

一种下列结构式的至少一种化合物的1-20总重量百分比的浓水剂：

其中，n在每种情况中是独立的0和6之间的整数值，X在每种情况中是独立的H、NR₄、锂或钾，R在每种情况中是独立的H或C₁-C₆烷基；

与用于该浓水剂的稀释以形成该溶液的操作指南一起。

19.根据权利要求18所述的试剂盒，其特征在于，其中结构式I的化合物以5至1000ppm之间的浓度存在。