[发明专利]高k金属栅极晶体管的阈值电压控制和驱动电流改善的方法和结构无效
| 申请号： | 201080015527.1 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102369593A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 卜惠明;M.P.查德齐克;何卫;R.贾;金容熙;S.A.克里什南;R.T.莫;N.莫门;W.C.纳兹勒 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成器件的方法，包括：提供衬底；在该衬底上形成界面层；在该界面层上沉积高k电介质层；在该高k电介质层上沉积除氧层；以及进行退火。一种高k金属栅极晶体管包括衬底，该衬底上的界面层，该界面层上的高k电介质层，以及该高k电介质层上的除氧层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 晶体管 阈值 电压 控制 驱动 电流 改善 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种形成器件的方法，包括：提供衬底(100)；在该衬底(100)上形成界面层(200)；在该界面层(200)上沉积高k电介质层(300)；在该高k电介质层(300)上沉积除氧层(400)；以及进行退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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