[发明专利]具有电隔离背表面的凸点自隔离的GaN晶体管芯片有效
| 申请号： | 201080015360.9 | 申请日： | 2010-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102439713A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 亚力山大·利道;罗伯特·比奇;阿兰娜·纳卡塔;曹建军 | 申请（专利权）人： | 宜普电源转换公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括硅衬底、复合半导体材料、在所述硅衬底和复合物半导体材料之间的绝缘材料、以及顶表面，顶表面包括电连接的装置以及钝化材料，其中该钝化材料是氮化硅、二氧化硅或两者的组合。本发明通过包括用于将器件的硅衬底电隔离的AlN籽晶层而消除了对在热沉和表面加装器件的背表面之间的厚的电绝缘体的需求。该器件的侧壁也与器件的活性区域电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 表面 gan 晶体管 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：硅衬底；包括活性区域的复合半导体材料；在所述硅衬底和活性区域之间的绝缘材料；以及顶表面，包括：电连接到所述活性区域的装置；及第一钝化材料，其中该钝化材料是氮化硅、二氧化硅或两者的组合。
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