[发明专利]具有电隔离背表面的凸点自隔离的GaN晶体管芯片

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

硅衬底；

包括活性区域的复合半导体材料；

在所述硅衬底和活性区域之间的绝缘材料；以及

顶表面，包括：

电连接到所述活性区域的装置；及

第一钝化材料，其中该钝化材料是氮化硅、二氧化硅或两者的组合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述复合半导体材料由包括镓、氮和铝组合物的各种层形成。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件是增强型晶体管。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述半导体器件是增强型GaN晶体管。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括聚酰亚胺塑料的第二钝化材料。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述活性区域不延伸到该半导体器件的边缘。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括直接加装到所述硅衬底的表面的热沉，无需在衬底和热沉之间的绝缘层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电连接包括由铜、铅、银、锑和锡的各种组合物形成的焊料凸点。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电连接包括至少一个栅极、至少一个漏极、以及至少两个源极，其中一个源极用作Kelvin连接。

10.根据权利要求3所述的半导体器件，其中多个有源器件集成到该硅衬底上。

11.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述晶体管为半桥或全桥构造。

12.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述晶体管由位于同一硅衬底上的小型激励晶体管所激励。