[发明专利]双面接触的太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201080015331.2 | 申请日: | 2010-02-15 |
公开(公告)号: | CN102379043A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 菲利普·格拉内克;丹尼尔·克赖;库诺·迈尔;莫尼卡·阿莱曼;西比尔·霍普曼 | 申请(专利权)人: | 弗兰霍菲尔运输应用研究公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/068;B23K26/14;B23K26/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于制造正面和背面接触的太阳能电池的方法。该方法基于具有介电层的晶圆的微结构化和被微结构化的区域的掺杂。随后沉积含金属的成核层,并且电镀加固这些接触。本发明还涉及能够使用所述方法制造的太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 双面 接触 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
用于制造双面接触的太阳能电池的方法,其中a)晶圆的正面和背面的至少一些区域内涂敷至少一个介电层;b)实现所述至少一个介电层的微结构化;c)通过引导至少一个液体射流在待掺杂表面的一些区域上方,实现被微结构化的表面区域的掺杂,该至少一个液体射流指向实体的表面且包括至少一种掺杂剂,并利用激光束提前或同时局部加热该待掺杂表面;d)在该晶圆的背面上的至少一些区域内沉积含金属的成核层;以及e)为了该晶圆的双面接触,实现在晶圆的正面和背面上金属化的至少一些区域内的电镀沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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