[发明专利]双面接触的太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201080015331.2 | 申请日: | 2010-02-15 |
公开(公告)号: | CN102379043A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 菲利普·格拉内克;丹尼尔·克赖;库诺·迈尔;莫尼卡·阿莱曼;西比尔·霍普曼 | 申请(专利权)人: | 弗兰霍菲尔运输应用研究公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/068;B23K26/14;B23K26/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 接触 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.用于制造双面接触的太阳能电池的方法,其中
a)晶圆的正面和背面的至少一些区域内涂敷至少一个介电层;
b)实现所述至少一个介电层的微结构化;
c)通过引导至少一个液体射流在待掺杂表面的一些区域上方,实现被微结构化的表面区域的掺杂,该至少一个液体射流指向实体的表面且包括至少一种掺杂剂,并利用激光束提前或同时局部加热该待掺杂表面;
d)在该晶圆的背面上的至少一些区域内沉积含金属的成核层;以及
e)为了该晶圆的双面接触,实现在晶圆的正面和背面上金属化的至少一些区域内的电镀沉积。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,通过用干式激光器、或水射流引导激光器、或包含蚀刻剂的液体射流引导激光器处理表面以实现所述微结构化,所述液体射流指向固体的表面且包括用于晶圆的至少一种蚀刻剂,该液体射流被引导在待结构化的表面的多个区域上方,该待结构化的表面被激光束提前或同时局部加热。
3.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述蚀刻剂在所述至少一个介电层上比在衬底上具有更强的蚀刻效果,并且该蚀刻剂尤其选自H3PO4、H3PO3、PCl3、PCl5、POCl3、KOH、HF/HNO3、HCl、氯化合物、硫酸以及它们的混合物构成的组。
4.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述介电层选自SiNx、SiO2、SiOx、MgF2、TiO2、SiCx和Al2O3构成的组。
5.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,利用激光束耦合的含H3PO4、H3PO3和/或POCl3的液体射流实施所述掺杂。
6.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述至少一种掺杂剂选自磷、硼、铝、铟、镓和它们的混合物构成的组,尤其是磷酸、亚磷酸、磷酸盐和氢磷酸盐的溶液、硼砂、硼酸、硼酸盐和过硼酸盐、硼化合物、镓化合物以及它们的混合物构成的组。
7.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,利用液体射流引导激光器同时实施所述微结构化和掺杂。
8.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述含金属的成核层通过蒸发沉积、溅射或通过从水溶液还原来沉积,优选同时在该晶圆的正面和背面实现该沉积。
9.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述含金属的成核层包括选自铝、镍、钛、铬、钨、银和它们的合金构成的组的金属。
10.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,施加所述成核层之后,尤其通过激光退火进行热处理。
11.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,在沉积所述含金属的成核层之后,在所述正面上的至少一些区域中沉积用以增加粘着度的层。
12.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,用于增加粘着度的该层包括选自镍、钛、铜、钨和它们的合金构成的组的金属或由合金构成。
13.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,施加所述含金属的成核层之后,通过金属化,尤其是银或铜的电镀沉积实现至少一些区域内的成核层的加厚,从而实现晶圆的正面和背面的接触。
14.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述激光束被在液体射流内全反射引导。
15.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述液体射流是层流的。
16.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述液体射流具有10到500μm的直径。
17.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,所述激光束以时间和/或空间脉冲形式,尤其是平顶形式、M形轮廓或矩形脉冲主动调整。
18.根据如前述权利要求之一所述的方法可以制造的太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于弗兰霍菲尔运输应用研究公司,未经弗兰霍菲尔运输应用研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080015331.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种印刷电路板固定柱组件
- 下一篇:一种螺丝组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的