[发明专利]光电转换装置

摘要

本发明提供具备使反射特性最优化的中间接触层的光电转换装置。光电转换装置(100)在基板(1)上具备在基板(1)的相反侧的表面具备凹凸结构的透明电极层(2)、由两个发电层(91、92)构成的光电转换层(3)、背面电极层(4)、设于两个发电层(91、92)之间的中间接触层(5)，中间接触层(5)从基板(1)侧起依次包含以氧化钛为主的氧化钛膜、和以透明导电性氧化物为主的背面侧透明导电膜，氧化钛膜的膜厚在由以下所示的区域的范围内：背面侧透明导电膜的膜厚为5nm时为65nm以上且110nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为10nm时为65nm以上且95nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为15nm时为65nm以上且90nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为20nm时为60nm以上85nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为25nm时为55nm以上且70nm以下；以及背面侧透明导电膜的膜厚为30nm时为55nm以上且65nm以下。

主权项

一种光电转换装置，在基板上具备在该基板的相反侧的表面具备凹凸结构的透明电极层，在该透明电极层上具备由两个发电层构成的光电转换层，在该光电转换层上具备背面电极层和设于所述两个发电层之间的中间接触层，所述中间接触层从所述基板侧起依次包含以氧化钛为主的氧化钛膜、和以透明导电性氧化物为主的背面侧透明导电膜，所述氧化钛膜的膜厚在由以下所示的区域的范围内：所述背面侧透明导电膜的膜厚为5nm时，所述氧化钛膜的膜厚为65nm以上且110nm以下；所述背面侧透明导电膜的膜厚为10nm时，所述氧化钛膜的膜厚为65nm以上且95nm以下；所述背面侧透明导电膜的膜厚为15nm时，所述氧化钛膜的膜厚为65nm以上且90nm以下；所述背面侧透明导电膜的膜厚为20nm时，所述氧化钛膜的膜厚为60nm以上且85nm以下；所述背面侧透明导电膜的膜厚为25nm时，所述氧化钛膜的膜厚为55nm以上且70nm以下；以及所述背面侧透明导电膜的膜厚为30nm时，所述氧化钛膜的膜厚为55nm以上且65nm以下。