[发明专利]光电转换装置无效
| 申请号: | 201080015058.3 | 申请日: | 2010-05-06 |
| 公开(公告)号: | CN102379044A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
| 发明(设计)人: | 坂井智嗣;小林靖之 | 申请(专利权)人: | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 高培培;车文 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电 转换 装置 | ||
1.一种光电转换装置,在基板上具备在该基板的相反侧的表面具备凹凸结构的透明电极层,在该透明电极层上具备由两个发电层构成的光电转换层,在该光电转换层上具备背面电极层和设于所述两个发电层之间的中间接触层,
所述中间接触层从所述基板侧起依次包含以氧化钛为主的氧化钛膜、和以透明导电性氧化物为主的背面侧透明导电膜,
所述氧化钛膜的膜厚在由以下所示的区域的范围内:
所述背面侧透明导电膜的膜厚为5nm时,所述氧化钛膜的膜厚为65nm以上且110nm以下;
所述背面侧透明导电膜的膜厚为10nm时,所述氧化钛膜的膜厚为65nm以上且95nm以下;
所述背面侧透明导电膜的膜厚为15nm时,所述氧化钛膜的膜厚为65nm以上且90nm以下;
所述背面侧透明导电膜的膜厚为20nm时,所述氧化钛膜的膜厚为60nm以上且85nm以下;
所述背面侧透明导电膜的膜厚为25nm时,所述氧化钛膜的膜厚为55nm以上且70nm以下;以及
所述背面侧透明导电膜的膜厚为30nm时,所述氧化钛膜的膜厚为55nm以上且65nm以下。
2.如权利要求1所述的光电转换装置,其中,所述中间接触层在所述氧化钛膜的所述基板侧的表面还具备以透明导电性氧化物为主的基板侧透明导电膜。
3.如权利要求2所述的光电转换装置,其中,所述基板侧透明导电膜的膜厚为5nm以上且30nm以下。
4.如权利要求1~3中任一项所述的光电转换装置,其中,设有所述透明电极层的所述基板的雾度值为20%以上且30%以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





