[发明专利]半导体材料薄层的形成有效
| 申请号： | 201080014929.X | 申请日： | 2010-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102388448A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | R·C·哈珀 | 申请（专利权）人： | IQE硅化合物有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成GaAs或诸如SiGe等锗材料的层的方法。锗材料例如可以外延生长在GaAs表面上。使用层转移将所述锗材料和部分残余GaAs转移到受主衬底上。由于GaAs与锗材料之间的边界提供了蚀刻终止物，所以随后可以使用选择性蚀刻除去残余GaAs。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 薄层 形成 | ||
【主权项】：
一种形成锗材料薄膜的方法，所述方法包括：在GaAs的表面上外延生长所述锗材料，所述表面由施主衬底承载；进行所述锗材料和下述材料之一从所述施主衬底到受主衬底上的层转移：来自邻近附着于所述受移锗材料上的所述表面的残余GaAs，和来自邻近附着于所述GaAs上的所述表面的残余锗材料；和除去附着的残余材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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