[发明专利]具有改善的晶体取向的光伏装置有效
| 申请号: | 201080014178.1 | 申请日: | 2010-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN102365707A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
| 发明(设计)人: | 杨宇;布伊尔·帕斯马科夫;赵志波 | 申请(专利权)人: | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;郭鸿禧 |
| 地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 一种光伏装置,包括具有改善的碲化镉取向的半导体吸收层。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 改善 晶体 取向 装置 | ||
【主权项】:
一种光伏装置,所述光伏装置包括:透明导电氧化物层,与基底相邻;半导体双层,与透明导电氧化物层相邻,半导体双层包括与半导体窗口层相邻的半导体吸收层,其中,半导体吸收层包括取向晶化的半导体吸收层;背部接触,与半导体双层相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





