[发明专利]具有改善的晶体取向的光伏装置

权利要求书

1.一种光伏装置，所述光伏装置包括：

透明导电氧化物层，与基底相邻；

半导体双层，与透明导电氧化物层相邻，半导体双层包括与半导体窗口 层相邻的半导体吸收层，其中，半导体吸收层包括取向晶化的半导体吸收层；

背部接触，与半导体双层相邻。

2.如权利要求1所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包含锡酸镉。

3.如权利要求1所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包含铟掺杂 氧化镉。

4.如权利要求1所述的光伏装置，其中，透明导电氧化物层包含锡掺杂 氧化铟。

5.如权利要求1所述的光伏装置，其中，基底包括玻璃。

6.如权利要求5所述的光伏装置，其中，玻璃包括钠石灰玻璃。

7.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述光伏装置还包括位于基底 和透明导电氧化物层之间的阻挡层。

8.如权利要求7所述的光伏装置，其中，阻挡层包含二氧化硅。

9.如权利要求7所述的光伏装置，其中，阻挡层包含氮化硅。

10.如权利要求1所述的光伏装置，所述光伏装置还包括与透明导电氧 化物层相邻的顶部层。

11.如权利要求7所述的光伏装置，所述光伏装置还包括与透明导电氧 化物层相邻的顶部层。

12.如权利要求10所述的光伏装置，其中，顶部层包含锡酸锌。

13.如权利要求10所述的光伏装置，其中，顶部层包含氧化锡。

14.如权利要求1所述的光伏装置，其中，半导体窗口层包含硫化镉。

15.如权利要求1所述的光伏装置，其中，取向晶化的半导体吸收层包 括取向的碲化镉层。

16.如权利要求15所述的光伏装置，其中，取向的碲化镉层具有优选的 取向。

17.如权利要求16所述的光伏装置，其中，取向的碲化镉层的大约65％ 至大约75％的晶体具有相对于层的沉积平面的优选取向。

18.如权利要求1所述的光伏装置，其中，所述光伏装置还包括与背部 接触相邻的背部支撑。

19.一种制造光伏装置的方法，所述方法包括以下步骤：

沉积与透明导电氧化物层相邻的半导体窗口层；

沉积与半导体窗口层相邻的取向半导体吸收层。

20.如权利要求19所述的方法，所述方法还包括在沉积半导体窗口层之 前沉积与透明导电氧化物层相邻的顶部层。

21.如权利要求19所述的方法，其中，透明导电氧化物层包含锡酸镉。

22.如权利要求19所述的方法，其中，透明导电氧化物层包含铟掺杂的 氧化镉。

23.如权利要求19所述的方法，其中，透明导电氧化物层包含锡掺杂的 氧化铟。

24.如权利要求19所述的方法，其中，所述沉积与透明导电氧化物层相 邻的半导体窗口层包括将硫化镉层置于基底上。

25.如权利要求20所述的方法，其中，所述沉积与透明导电氧化物层相 邻的顶部层包括向透明导电氧化物层上溅射锡酸锌以形成透明导电氧化物堆 叠。

26.如权利要求20所述的方法，其中，所述沉积与透明导电氧化物层相 邻的顶部层包括向透明导电氧化物层上溅射氧化锡以形成透明导电氧化物堆 叠。

27.如权利要求25或26所述的方法，所述方法还包括对透明导电氧化 物堆叠退火。

28.如权利要求27所述的方法，其中，所述对透明导电氧化物堆叠退火 包括在减小的压力下加热透明导电氧化物堆叠。