[发明专利]发光二极管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080013974.3 | 申请日： | 2010-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102369605A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 上山智;岩谷素显;天野浩;赤崎勇;西村拓哉;寺前文晴;近藤俊行 | 申请（专利权）人： | 名城大学 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/16 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;徐丁峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种不用对6H型SiC掺杂Al而可以得到比掺杂了B和N的通常的6H型SiC的发光区域短波长侧的发光的发光二极管元件及其制造方法。在发光二极管元件100的SiC基板102形成由添加了B和N的多孔状单晶6H型SiC构成的多孔层124，如果多孔层124被氮化物半导体层发出的紫外光激励，可得到从蓝色到绿色的可视光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二级管元件，具有：半导体发光部；以及多孔SiC部，由添加了N和B的多孔状单晶6H型SiC构成，如果被所述半导体发光部发出的光激励则发出可视光。
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