[发明专利]发光二极管元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二级管元件，具有：

半导体发光部；以及

多孔SiC部，由添加了N和B的多孔状单晶6H型SiC构成，如果被所述半导体发光部发出的光激励则发出可视光。

2.根据权利要求1所述的发光二级管元件，具有：

覆盖所述多孔SiC部表面的保护膜。

3.根据权利要求2所述的发光二级管元件，具有：

块SiC部，由添加了N和B的块状单晶6H型SiC构成，如果被所述半导体发光层发出的光激励则发出比所述多孔SiC部波长要长的可视光。

4.根据权利要求3所述的发光二级管元件，

把所述块SiC部的一部分多孔化来形成所述多孔SiC部。

5.根据权利要求4所述的发光二级管元件，

所述半导体发光部的一部分在被多孔化的所述块SiC部上形成。

6.一种发光二级管元件的制造方法，是权利要求1至5中任一权利要求所述的发光二级管元件的制造方法，包括：

电极形成工序，在添加了N和B的块状单晶6H型SiC形成电极；以及

阳极氧化工序，对形成了所述电极的单晶6H型SiC进行阳极氧化，形成所述多孔SiC部。

7.根据权利要求6所述的发光二级管元件的制造方法，包括：

热处理工序，进行所述多孔SiC部的热处理；以及

保护膜形成工序，在进行了热处理的所述多孔SiC部形成保护膜。

8.根据权利要求7所述的发光二级管元件的制造方法，

在所述阳极氧化工序，作为与所述单晶6H型SiC反应的溶液，采用加了氧化助剂的氢氟酸水溶液。

9.根据权利要求8所述的发光二级管元件的制造方法，

所述氧化助剂是过硫酸钾。