[发明专利]反应器表面的选择性蚀刻有效
| 申请号： | 201080013958.4 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102365708A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | S·瑞哈万;E·希罗;M·韦尔盖塞 | 申请（专利权）人： | ASM美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供组合物、方法及系统，其允许选择性蚀刻反应器金属部件(例如钛及/或钛合金)上的金属氧化物。所述蚀刻组合物包括碱金属氢氧化物及五倍子酸。所述方法适用于清洁用于沉积诸如氧化铝的金属氧化物膜的反应室。 | ||
| 搜索关键词： | 反应器 表面 选择性 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种用于选择性蚀刻半导体反应器的金属部件上的金属氧化物的方法，所述方法包括：使所述金属部件的表面与碱性蚀刻剂接触，其中所述金属氧化物存在于所述金属部件的所述表面上，所述碱性蚀刻剂能有效蚀刻所述金属氧化物，以及所述金属部件易受所述碱性蚀刻剂的化学侵蚀；使所述金属部件的所述表面与抑制剂接触，所述抑制剂能有效抑制所述碱性蚀刻剂对所述金属部件的化学侵蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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