[发明专利]反应器表面的选择性蚀刻

权利要求书

1.一种用于选择性蚀刻半导体反应器的金属部件上的金属氧化物的 方法，所述方法包括：

使所述金属部件的表面与碱性蚀刻剂接触，其中所述金属氧化物存在 于所述金属部件的所述表面上，所述碱性蚀刻剂能有效蚀刻所述金属氧化 物，以及所述金属部件易受所述碱性蚀刻剂的化学侵蚀；

使所述金属部件的所述表面与抑制剂接触，所述抑制剂能有效抑制所 述碱性蚀刻剂对所述金属部件的化学侵蚀。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属氧化物包括氧化铪以及氧 化锆中的至少一种。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述金属部件包括不锈钢、镍以及 镍合金中的至少一种。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述金属部件包括钛以及钛合金中 的至少一种。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述碱性蚀刻剂包括碱金属氢氧化 物。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述碱金属氢氧化物包括氢氧化钠 以及氢氧化钾中的至少一种。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述抑制剂包括聚羟基苯化合物。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述抑制剂包括五倍子酸。

9.如权利要求1所述的方法，还包括使所述金属部件的所述表面与稳 定剂接触，所述稳定剂能有效稳定所述抑制剂。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述稳定剂包括硼酸根物种。

11.如权利要求1所述的方法，其中至少一部分接触步骤是在约0℃至 约100℃下进行。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述金属氧化物为氧化铝，以及 使所述金属部件的所述表面与所述碱性蚀刻剂及所述抑制剂接触的步骤 包括以至少约2微米/小时的蚀刻速率蚀刻所述氧化铝。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述氧化铝的所述蚀刻速率为至 少约8微米/小时。

14.如权利要求12所述的方法，其中使所述金属部件的所述表面与所 述碱性蚀刻剂及所述抑制剂接触的步骤包括以小于1微米/小时的蚀刻速 率蚀刻所述金属部件。

15.如权利要求1所述的方法，其中使所述金属部件的所述表面与所 述碱性蚀刻剂及所述抑制剂接触的步骤包括选择性蚀刻所述金属部件上 的所述金属氧化物，其中蚀刻选择性为至少20∶1。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述蚀刻选择性为至少30∶1。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述金属部件是用于氧化铝沉积 的化学气相沉积反应室或原子层沉积反应室的组件的内表面。

18.如权利要求1所述的方法，还包括通过氧化处理从所述金属部件 移除所述抑制剂。

19.一种用于离位湿式清洁沉积反应器的钛或钛合金表面上的氧化铝 的方法，其中所述沉积反应器用于沉积氧化铝，所述方法包括：

使蚀刻剂与上面沉积有氧化铝层的所述沉积反应器的钛或钛合金表 面接触，其中所述蚀刻剂包括氢氧化钠以及氢氧化钾中的至少一种；

使所述钛或钛合金表面与包括聚羟基苯化合物的抑制剂接触；以及

使所述钛或钛合金表面与包括硼酸根物种的稳定剂接触。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述抑制剂包括五倍子酸。

21.一种用于选择性清洁金属部件上的金属氧化物的蚀刻组合物，包 括：

有效量的碱性蚀刻剂，其能有效地蚀刻所述金属部件上的所述金属氧 化物；以及

有效量的抑制剂，其能有效地抑制所述碱性蚀刻剂对所述金属部件的 蚀刻。

22.如权利要求21所述的蚀刻组合物，其中所述金属氧化物为氧化 铝。