[发明专利]蓝宝石衬底的制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201080013017.0 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102362018A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 只友一行;冈田成仁 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人山口大学 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C23C14/14;C23C14/18;C23C14/58;C23C16/02;C23C16/34;H01L33/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 对使化合物半导体层生长在蓝宝石衬底上而制作的半导体装置，提供了一种能够制作光提取效率较高的半导体装置的蓝宝石衬底。在蓝宝石衬底(1)的面上通过随机布置形成多个凸起(2、2、…)，让GaN层(10)在该面上生长。再在其上形成多量子阱层(12)、p-AlGaN层(14)、p-GaN层(16)以及ITO层(18)，还形成两个电极(21、22)，制作出了半导体发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石衬底的制造方法，其特征在于：包括以下工序：工序A，将金属蒸镀在蓝宝石薄板的一面上；工序B，在所述工序A之后，对所述蓝宝石薄板进行热处理以使所述金属成为微粒状态；以及工序C，以所述微粒状态的金属为掩膜对所述蓝宝石薄板的所述一面进行蚀刻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人山口大学，未经国立大学法人山口大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080013017.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在托管的会话系统中提供对会话的访问
- 下一篇：一种电饭锅
