[发明专利]蓝宝石衬底的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种蓝宝石衬底的制造方法，其特征在于：

包括以下工序：

工序A，将金属蒸镀在蓝宝石薄板的一面上；

工序B，在所述工序A之后，对所述蓝宝石薄板进行热处理以 使所述金属成为微粒状态；以及

工序C，以所述微粒状态的金属为掩膜对所述蓝宝石薄板的所 述一面进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底的制造方法，其特征在于：

在所述工序A中，蒸镀所述金属，蒸镀厚度在1nm以上20nm 以下。

3.根据权利要求1或2所述的蓝宝石衬底的制造方法，其特征在于：

在所述工序C中，在所述一面形成多个凸起；

多个所述凸起设置在所述一面的随机位置上且各个所述凸起 具有从底部朝向顶部越来越细的形状；

所述凸起的顶部的平面的面积在0μm²以上0.05μm²以下。

4.根据权利要求3所述的蓝宝石衬底的制造方法，其特征在于：

所述凸起的底面的长径在100nm以上1μm以下，短径在50nm 以上0.5μm以下；

所述凸起以1×10⁶个/cm²以上5×10¹⁰个/cm²以下的密度布置。

5.根据权利要求3或4所述的蓝宝石衬底的制造方法，其特征在于：

所述凸起的侧面是曲面。

6.根据权利要求3到5中任一项权利要求所述的蓝宝石衬底的制造方 法，其特征在于：

所述凸起的高度在100nm以上1μm以下。

7.根据权利要求1或2所述的蓝宝石衬底的制造方法，其特征在于：

所述蓝宝石薄板，在所述一面随机位置上设置多个凸形状；

所述凸形状具有从底部朝向顶部越来越细的形状，且以1×10⁵个/cm²以上5×10⁷个/cm²以下的密度布置；

所述凸形状的顶部的平面的面积大于0且小于等于10μm²；

所述凸形状的底面的长径在1μm以上50μm以下，短径在 100nm以上10μm以下。

8.一种半导体装置，其包括利用权利要求1到7中任一项权利要求所 述的蓝宝石衬底的制造方法制得的蓝宝石衬底，化合物半导体层设 置在所述一面上。