[发明专利]高电压半导体器件和驱动电路

摘要

一种高电压半导体器件，包括：n-型区域(101)，该n-型区域(101)被p-阱区域(102)包围且被设置在p-型硅基板(100)上；漏极n+区域(103)，连接到漏极电极(120)；p基极区域(105)，形成为与该漏极n+区域(103)分开并且包围该漏极n+区域(103)；及源极n+区域(114)，形成于p基极区域(105)中。p-区域(131)设置为穿过n-型区域(101)到达p-型硅基板(100)。该n-型区域(101)被p-区域(131)划分成n-型区域(101a)和n-型区域(101b)，n-型区域(101a)具有漏极n+区域(103)，n-型区域(101b)作为具有浮置电势的区域。

主权项

一种高电压半导体器件，包括：第二导电型的电压阻断区，该电压阻断区位于第一导电型的半导体衬底上；第二导电型的漏极扩散区，该漏极扩散区形成在所述电压阻断区的表面层的一部分中；第一导电型的基极区，该基极区与所述漏极扩散区分离形成，包围所述漏极扩散区，并接触所述电压阻断区；第一导电型的拾取区，该拾取区形成在所述基极区的表面层中；第一主电极，该第一主电极与所述拾取区连接；第二主电极，该第二主电极与所述漏极扩散区连接，且对该第二主电极施加的电压比施加到所述第一主电极的电压高；以及分离区，该分离区接触所述半导体衬底，且包含所述电压阻断区和所述基极区，其中所述电压阻断区包括由所述漏极扩散区形成的漂移区和具有浮动电位的浮动区，并且所述高电压半导体器件还包括：第一导电型的半导体区，该半导体区在所述漂移区和所述浮动区之间形成为接触所述分离区和所述半导体衬底，且所述漂移区与所述浮动区彼此分离开；第二导电型的源极扩散区，该源极扩散区位于所述漂移区中的基极区的表面层中，且与所述第一主电极连接；以及栅电极，该栅电极经由绝缘膜形成在所述漂移区和所述源极扩散区之间的所述基极区的表面上。