[发明专利]高电压半导体器件和驱动电路

权利要求书

1.一种高电压半导体器件，包括：

第二导电型的电压阻断区，该电压阻断区位于第一导电型的半导体衬底上；

第二导电型的漏极扩散区，该漏极扩散区形成在所述电压阻断区的表面层的一部分中；

第一导电型的基极区，该基极区与所述漏极扩散区分离形成，包围所述漏极扩散区，并接触所述电压阻断区；

第一导电型的拾取区，该拾取区形成在所述基极区的表面层中；

第一主电极，该第一主电极与所述拾取区连接；

第二主电极，该第二主电极与所述漏极扩散区连接，且对该第二主电极施加的电压比施加到所述第一主电极的电压高；以及

分离区，该分离区接触所述半导体衬底，且包含所述电压阻断区和所述基极区，其中

所述电压阻断区包括由所述漏极扩散区形成的漂移区和具有浮动电位的浮动区，并且

所述高电压半导体器件还包括：

第一导电型的半导体区，该半导体区在所述漂移区和所述浮动区之间形成为接触所述分离区和所述半导体衬底，且所述漂移区与所述浮动区彼此分离开；

第二导电型的源极扩散区，该源极扩散区位于所述漂移区中的基极区的表面层中，且与所述第一主电极连接；以及

栅电极，该栅电极经由绝缘膜形成在所述漂移区和所述源极扩散区之间的所述基极区的表面上。

2.一种高电压半导体器件，包括：

第二导电型的电压阻断区，该电压阻断区位于第一导电型的半导体衬底上；

第一导电型的集电极扩散区，该集电极扩散区形成在所述电压阻断区的表面层的一部分中；

第一导电型的基极区，该基极区形成为与所述集电极扩散区分离开且包含所述集电极扩散区，并接触所述电压阻断区；

第一导电型的拾取区，该拾取区形成在所述基极区的表面层中；

第一主电极，该第一主电极与所述拾取区连接；

第二主电极，该第二主电极与所述集电极扩散区连接，且对该第二主电极施加的电压比施加到所述第一主电极的电压高；以及

分离区，该分离区与所述半导体衬底接触，且包围所述电压阻断区和所述基极区，其中

所述电压阻断区包括由所述集电极扩散区形成的漂移区和具有浮动电位的浮动区，并且

所述高电压半导体器件还包括：

第一导电型的半导体区，该半导体区设置在所述漂移区和所述浮动区之间，接触所述分离区和所述半导体衬底，且所述漂移区与所述浮动区彼此分离开；

第二导电型的发射极扩散区，该发射极扩散区位于所述漂移区中的基极区的表面层中，且与所述第一主电极连接；以及

栅电极，该栅电极经由绝缘膜形成在所述漂移区和所述发射极扩散区之间的所述基极区的表面上。

3.如权利要求1所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述电压阻断区是有选择地形成在所述半导体衬底的表面层中的扩散层。

4.如权利要求3所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述分离区是有选择地形成在所述半导体衬底的表面层中的扩散区，且具有比所述半导体衬底的杂质浓度更高的杂质浓度。

5.如权利要求3所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述分离区是被埋入从所述半导体衬底的表面开始形成的沟槽中的绝缘材料。

6.如权利要求3所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述半导体区是有选择地形成在所述半导体衬底的表面层中的扩散区。

7.如权利要求3所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述半导体区是使所述半导体衬底暴露在所述半导体区的表面上的区域。

8.如权利要求1所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述电压阻断区是第二导电型的外延层，且形成在所述半导体衬底上。

9.如权利要求8所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述分离区是具有从所述外延层的表面到所述半导体衬底的深度的扩散区，且具有比所述半导体衬底的杂质浓度更高的杂质浓度。

10.如权利要求8所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述分离区是被埋入具有从所述外延层的表面到所述半导体衬底的深度的沟槽中的绝缘材料。

11.如权利要求8所述的高电压半导体器件，其特征在于，所述半导体区由具有从所述外延层的表面到所述半导体衬底的深度的扩散区形成。