[发明专利]形成集成电路的方法及所得结构有效
| 申请号： | 201080009005.0 | 申请日： | 2010-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102326230A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡;克里希纳·K·帕拉 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示用于在不具有电路的受主衬底上制造集成电路装置的方法。通过在受主衬底上顺序地安置一个或一个以上半导体材料层级且在安置下一较高层级之前在每一半导体材料层级上制造电路来形成集成电路装置。在囊封所述电路之后，移除所述受主衬底且单分半导体裸片。本发明还揭示通过所述方法形成的集成电路装置。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 方法 所得 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路制造方法，其包括：在受主衬底的表面上方形成牺牲材料；在所述牺牲材料上方将包括半导体材料的施主衬底接合到所述受主衬底；将接合到所述受主衬底的基础材料与所述施主衬底分隔开；及通过移除所述牺牲材料而从所述受主衬底释放所述基础材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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