[发明专利]等离子体处理方法无效
| 申请号： | 201080008245.9 | 申请日： | 2010-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102317752A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 高羽博之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G01L21/30 | 分类号： | G01L21/30 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于使用等离子体反应处理来形成氟碳层的方法包括施加微波功率和RF偏压的步骤。在从20mTorr到60mTorr的压力下，施加微波功率和RF偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种用于使用等离子体反应处理来形成氟碳层的方法，所述方法包括如下步骤：在不小于20mTorr并且不大于60mTorr的压力下，施加微波功率和RF偏压。
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