[发明专利]等离子体处理方法无效
| 申请号： | 201080008245.9 | 申请日： | 2010-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102317752A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 高羽博之 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G01L21/30 | 分类号： | G01L21/30 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
1.一种用于使用等离子体反应处理来形成氟碳层的方法，所述方法包括如下步骤：
在不小于20mTorr并且不大于60mTorr的压力下，施加微波功率和RF偏压。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述RF偏压的功率不小于20W并且不大于120W。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述微波功率不小于1.0kW并且不大于3.5kW。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述微波的频率是约2.45GHz。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述RF偏压的频率是约400kHz。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氟碳层包括CFx4。
7.一种用于使用等离子体反应处理来形成氟碳层的方法，所述方法包括如下步骤：
在压力下施加微波功率和RF偏压，在所述压力下、在没有施加所述RF偏压的情况下所述氟碳层并不沉积，其中，所述压力不小于20mTorr。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述RF偏压的功率不小于20W并且不大于120W。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述压力不大于30mTorr。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述微波功率不小于1.0kW并且不大于3.5kW。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述微波的频率是约2.45GHz。
12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述RF偏压的频率是约400kHz。
13.根据权利要求7所述的方法，其中，所述氟碳层包括CFx4。
14.一种用于制造具有氟碳层的半导体装置的方法，所述氟碳层作为绝缘层，所述方法包括如下步骤：
使用等离子体反应处理在衬底上形成所述氟碳层，
其中，在所述形成步骤中，在从20mTorr到60mTorr的压力下，施加微波功率和RF偏压。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述RF偏压的功率不小于20W并且不大于120W。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述微波功率不小于1.0kW并且不大于3.5kW，并且所述微波功率具有约2.45GHz的频率。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述RF偏压的频率是约400kHz。
18.一种用于使用等离子体反应处理来形成氟碳层的方法，所述方法包括如下步骤：
施加微波功率和RF偏压；
除了等离子激发气体和CF系处理气体之外，还将氧气(O)引入处理室中。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述RF偏压的功率不小于20W并且不大于120W。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，在不小于20mTorr并且不大于60mTorr的压力下，施加所述微波功率和所述RF偏压。
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