[发明专利]有机电子电路无效
| 申请号: | 201080007998.8 | 申请日: | 2010-02-16 |
| 公开(公告)号: | CN102318068A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
| 发明(设计)人: | A·乌尔曼;A·克诺布洛赫;J·克鲁姆 | 申请(专利权)人: | 波利IC有限及两合公司 |
| 主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L27/28;H01L51/05;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | 本发明涉及一种多层膜体形式的有机电子电路(1)及其制造方法。所述多层膜体具有衬底层(2)、第一导电功能层(3)、半导电功能层(4)、绝缘层(5)以及第二导电功能层(6)。所述有机电子电路(1)具有两个或更多部分(20、21)。所述两个或更多部分(20、21)中的至少一个第一部分(20)的形式为互连组件(80)。在所述至少一个第一部分(20)中提供了多个结构(3a),在优选方向上重复所述结构(3a)并且在所述第一导电功能层(3)中相应地形成所述结构(3a),所述结构(3a)被中心第一区(30)中的绝缘层(5)相应地覆盖并且所述结构(3a)未被所述中心第一区(30)的两侧上布置的第二区(31、32)中的绝缘层(5)覆盖。所述两个或更多部分(20、21)中的至少一个第二部分(21)的形式为电子组件(81)。在在所述第一导电功能层(3)中的所述至少一个第二部分(21)中提供了在优选方向上重复的多个结构(3b)。在中心第一区(40)中布置的这些结构(3b)被所述半导电功能层(4)和/或所述绝缘层(5)覆盖。这些结构(3b)未被与一个部分相邻地布置的至少一个第二区(31、32)中的绝缘层(5)覆盖。所述第二导电功能层(6)具有至少一个第一区(50),在所述第一区(50)中,所述第二导电功能层(6)部分地覆盖在所述第一导电功能层(3)在形式为所述互连组件(80)的所述至少一个部分(20)中的至少一个结构(3a)上并且部分地覆盖在所述第一导电功能层(3)的在形式为所述电子组件(81)的所述至少一个部分(21)中的至少一个结构(3a)上,从而形成一个或多个导电连接(64、65、66)。所述第二导电功能层(6)具有提供电子元件的至少一个第二区(51),在所述第二区(51)中,所述第二导电功能层(6)部分地覆盖在形式为所述电子组件(81)的所述至少一个第二部分(21)上。 | ||
| 搜索关键词: | 有机 电子电路 | ||
【主权项】:
一种多层膜体形式的有机电子电路(1),所述多层膜体具有衬底层(2)、第一导电功能层(3)、半导电功能层(4)、绝缘层(5)以及第二导电功能层(6),其中所述有机电子电路(1)具有两个或更多部分(20、21),其中所述两个或更多部分(20、21)中的至少一个第一部分(20)的形式为互连组件(80)并且在所述第一导电功能层(3)中的所述至少一个第一部分(20)中形成多个结构(3a),所述结构(3a)在优选方向上重复,所述结构(3a)在中心第一区(30)中被绝缘层(5)相应地覆盖并且所述结构(3a)在所述中心第一区(30)的两侧上布置的第二区(31、32)中未被绝缘层(5)覆盖,其中所述两个或更多部分(20、21)中的至少一个第二部分(21)的形式为电子组件(81)并且在所述第一导电功能层(3)中的所述至少一个第二部分(21)中形成多个结构(3b),所述结构(3b)在优选方向上重复,所述结构(3b)在中心第一区(40)中被所述半导电功能层(4)和/或所述绝缘层(5)相应地覆盖,并且所述结构(3b)在与相邻第一部分相邻地布置的至少一个第二区(41、42)中未被绝缘层(5)覆盖,其中所述第二导电功能层(6)具有至少一个第一区(50),在所述第一区(50)中,所述第二导电功能层(6)部分地覆盖在所述第一导电功能层(3)的在形式为所述互连组件(80)的所述至少一个部分(20)中的至少一个结构(3a)上并且部分地覆盖在所述第一导电功能层(3)的在形式为所述电子组件(81)的所述至少一个部分(21)中的至少一个结构(3a)上,从而形成一个或多个导电连接(64、65、66),以及所述第二导电功能层(6)具有至少一个第二区(51),在所述第二区(51)中,所述第二导电功能层(6)部分地覆盖在形式为所述电子组件(81)的所述至少一个第二部分(21)上,从而形成电子元件,具体地说,形成有机二极管或有机场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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