[发明专利]有机电子电路无效
| 申请号: | 201080007998.8 | 申请日: | 2010-02-16 |
| 公开(公告)号: | CN102318068A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
| 发明(设计)人: | A·乌尔曼;A·克诺布洛赫;J·克鲁姆 | 申请(专利权)人: | 波利IC有限及两合公司 |
| 主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L27/28;H01L51/05;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨晓光;于静 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 电子电路 | ||
1.一种多层膜体形式的有机电子电路(1),所述多层膜体具有衬底层(2)、第一导电功能层(3)、半导电功能层(4)、绝缘层(5)以及第二导电功能层(6),
其中所述有机电子电路(1)具有两个或更多部分(20、21),
其中所述两个或更多部分(20、21)中的至少一个第一部分(20)的形式为互连组件(80)并且在所述第一导电功能层(3)中的所述至少一个第一部分(20)中形成多个结构(3a),所述结构(3a)在优选方向上重复,所述结构(3a)在中心第一区(30)中被绝缘层(5)相应地覆盖并且所述结构(3a)在所述中心第一区(30)的两侧上布置的第二区(31、32)中未被绝缘层(5)覆盖,
其中所述两个或更多部分(20、21)中的至少一个第二部分(21)的形式为电子组件(81)并且在所述第一导电功能层(3)中的所述至少一个第二部分(21)中形成多个结构(3b),所述结构(3b)在优选方向上重复,所述结构(3b)在中心第一区(40)中被所述半导电功能层(4)和/或所述绝缘层(5)相应地覆盖,并且所述结构(3b)在与相邻第一部分相邻地布置的至少一个第二区(41、42)中未被绝缘层(5)覆盖,
其中所述第二导电功能层(6)具有至少一个第一区(50),在所述第一区(50)中,所述第二导电功能层(6)部分地覆盖在所述第一导电功能层(3)的在形式为所述互连组件(80)的所述至少一个部分(20)中的至少一个结构(3a)上并且部分地覆盖在所述第一导电功能层(3)的在形式为所述电子组件(81)的所述至少一个部分(21)中的至少一个结构(3a)上,从而形成一个或多个导电连接(64、65、66),以及所述第二导电功能层(6)具有至少一个第二区(51),在所述第二区(51)中,所述第二导电功能层(6)部分地覆盖在形式为所述电子组件(81)的所述至少一个第二部分(21)上,从而形成电子元件,具体地说,形成有机二极管或有机场效应晶体管。
2.如权利要求1中所述的有机电子电路(1),其中所述半导电功能层(4)和/或所述绝缘层(5)布置在所述第一导电功能层(3)与所述第二导电功能层(6)之间。
3.如权利要求1或2中所述的有机电子电路(1),其中在优选方向上重复的多个结构被成形为所述第一导电功能层(3)中的多个相互平行的导体轨(3a、3b)的形式。
4.如上述权利要求之一中所述的有机电子电路(1),其中所述有机电子电路(1)的所述两个或更多部分(20、21)以相互并置的关系沿延长方向布置成行。
5.如权利要求4中所述的有机电子电路(1),其中所述有机电子电路(1)的所述两个或更多部分(20、21)中的每个部分(20、21)均具有一个或两个条形第二区(31、32、41、42),所述第二区(31、32、41、42)的纵向方向横截所述延长方向,优选地,垂直于所述延长方向。
6.如权利要求5中所述的有机电子电路(1),其中所述一个或两个条形第二区(31、32、41、42)布置在边缘处并邻近相应部分(20、21)中的相应邻近部分。
7.如上述权利要求之一中所述的有机电子电路(1),其中所述衬底层(2)具有条形构造。
8.如上述权利要求之一中所述的有机电子电路(1),其中所述两个或更多部分(20、21)的三个或更多部分形成序列,在所述序列中,形式为互连组件(80)的第一部分(20)布置在形式为电子组件(81)的两个第二部分(21)之间。
9.如上述权利要求之一中所述的有机电子电路(1),其中所述两个或更多部分(20、21)的两个或更多部分形成序列,在所述序列中,所述序列的第一和最后部分的形式是形式为互连组件(80)的第一部分(20)。
10.如上述权利要求之一中所述的有机电子电路(1),其中所述两个或更多部分(20、21)的两个或更多部分形成序列,在所述序列中,所述序列的两个连续部分的形式是形式为电子组件(81)的第二部分(21)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





