[发明专利]制造孔层的方法有效
| 申请号： | 201080006485.5 | 申请日： | 2010-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102308382A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 迪迪埃·朗德吕 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种在包含至少一个由可被氧化或氮化的材料形成的衬底(101)的结构体(100)中制造孔层的方法，所述方法包括以下步骤：向所述衬底(101)中注入离子(10)，以在预定平均深度处形成注入离子集中区(102)；热处理经注入的所述衬底，以在所述注入离子集中区(102)形成孔层(103)；和通过热化学处理从所述衬底的一个表面起在所述衬底中形成绝缘层(105)，形成的所述绝缘层至少部分延伸至所述孔层(103)中。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在结构体(100)中制造孔层的方法，所述结构体(100)包含至少一个由能够被氧化或氮化的材料形成的衬底(101)，所述方法包括以下步骤：·向所述衬底(101)中注入离子(10)，以在预定平均深度处形成注入离子集中区(102)；·热处理经注入的所述衬底，以在所述注入离子集中区(102)形成孔层(103)；和·通过热化学处理从所述衬底的一个表面起在所述衬底中形成绝缘层(105)，形成的所述绝缘层至少部分延伸至所述孔层(103)中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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