[发明专利]制造孔层的方法

权利要求书

1.一种在结构体(100)中制造孔层的方法，所述结构体(100)包含至少一个由能够被氧化或氮化的材料形成的衬底(101)，所述方法包括以下步骤：

·向所述衬底(101)中注入离子(10)，以在预定平均深度处形成注入离子集中区(102)；

·热处理经注入的所述衬底，以在所述注入离子集中区(102)形成孔层(103)；和

·通过热化学处理从所述衬底的一个表面起在所述衬底中形成绝缘层(105)，形成的所述绝缘层至少部分延伸至所述孔层(103)中。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法的特征在于，通过热化学处理形成的所述绝缘层(205)延伸至跨越整个孔层(203)。

3.如权利要求1或2所述的方法，所述方法的特征在于，所述衬底(101)的材料至少选自以下材料：硅、III/V材料、锗和硅-锗，以及碳化硅。

4.如权利要求1～3中任一项所述的方法，所述方法的特征在于，所述衬底的热化学处理在氧化性气氛中进行，以形成氧化物绝缘层(105)。

5.如权利要求1～3中任一项所述的方法，所述方法的特征在于，所述衬底的热化学处理在氮化性气氛中进行，以形成氮化物绝缘层。

6.如权利要求4所述的方法，所述方法的特征在于，所述氧化物绝缘层(105)延伸至所述孔层(103)的上部中，所述孔层的下部位于未氧化的硅衬底中，并且，存在于所述氧化物绝缘层中的孔(104a)基本上为矩圆形形状，其宽度为约1nm～30nm并且长度为10nm～60nm，而存在于未氧化的衬底中的孔(104b)具有25nm～35nm的直径。

7.如权利要求1～6中任一项所述的方法，所述方法的特征在于，在所述热化学处理过程中向所述衬底中引入一种或多种掺杂物。

8.如权利要求7所述的方法，所述方法的特征在于，所述一种或多种掺杂物至少选自：氮、硼、砷、磷、锑、铝、镓、铁、镍和钴。

9.一种制造多层结构体的方法，所述方法至少包括将第一结构体连接到第二结构体上，所述第二结构体包含衬底，所述衬底包含根据权利要求1～8中任一项所述的方法形成的孔层和绝缘层。

10.如权利要求9所述的方法，所述方法的特征在于，所述第一结构体包含半导体材料层，并且，所述多层结构体为SeOI型。

11.一种复合结构体(200)，所述结构体(200)包含由能够被氧化或氮化的材料构成的衬底，所述结构体还包含通过热化学处理所述衬底的材料而形成的绝缘层(205)，所述绝缘层包含孔层(203)，所述结构体的特征在于，所述层的孔(204)为矩圆形形状，并且，所述孔沿同一方向取向。

12.如权利要求11所述的结构体，所述结构体的特征在于，所述衬底至少选自以下材料：硅、III/V材料、锗和硅-锗，以及碳化硅。

13.如权利要求11或12所述的结构体，所述结构体的特征在于，所述绝缘层(205)为氧化物或氮化物层。

14.如权利要求11～13中任一项所述的结构体，所述结构体的特征在于，所述孔层的孔含有至少选自以下物质的一种或多种掺杂物：氮、硼、砷、磷、锑、铝、镓、铁、镍和钴。

15.如权利要求11～14中任一项所述的结构体，所述结构体的特征在于，所述孔层(203)的孔(204)具有约1nm～30nm的宽度和10nm～60nm的长度。