[发明专利]电感耦合型等离子体发生源电极及基板处理装置无效
| 申请号： | 201080006296.8 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102301834A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李庆镐 | 申请（专利权）人： | 泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/34 | 分类号： | H05H1/34;H05H1/30;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了电感耦合型等离子体发生源电极及具备该电感耦合型等离子体发生源电极的基板处理装置。本发明的等离子体发生源电极(360)，产生基板处理用的电感耦合型等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)，具备：弯折部(362)，具有1个以上的弯折点；第一电极部(361)，以上述弯折部(362)为基准位于待处理的基板(10)的上部；以及第二电极部(363)，以上述弯折部(362)为基准位于上述基板(10)的下部。根据本发明，能够在待处理基板的全区域得到均匀的等离子体密度，还能够防止信号衰。 | ||
| 搜索关键词： | 电感 耦合 等离子体 生源 电极 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体发生源电极，产生基板处理用的电感耦合型等离子体，其特征在于，具备：弯折部，具有1个以上的弯折点；第一电极部，以上述弯折部为基准位于待处理的基板的上部；以及第二电极部，以上述弯折部为基准位于上述基板的下部。
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