[发明专利]电感耦合型等离子体发生源电极及基板处理装置无效
| 申请号： | 201080006296.8 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102301834A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 李庆镐 | 申请（专利权）人： | 泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/34 | 分类号： | H05H1/34;H05H1/30;H05H1/24 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电感 耦合 等离子体 生源 电极 处理 装置 | ||
1.一种等离子体发生源电极，产生基板处理用的电感耦合型等离子体，其特征在于，具备：
弯折部，具有1个以上的弯折点；
第一电极部，以上述弯折部为基准位于待处理的基板的上部；以及
第二电极部，以上述弯折部为基准位于上述基板的下部。
2.根据权利要求1所述的等离子体发生源电极，其特征在于，
上述第一电极部的末端与用于施加射频信号的射频天线连接，而上述第二电极部的末端连接到地线，其中，该射频信号产生电磁场以生成等离子体。
3.根据权利要求1所述的等离子体发生源电极，其特征在于，
上述弯折部具有2个弯折点，
上述等离子体发生源电极具有形状或反向的形状，并且上述等离子体发生源电极之间设置有上述基板。
4.一种电感耦合型等离子体基板处理装置，其特征在于，
包括用于产生电感耦合型等离子体的等离子体发生源电极，
该等离子体发生源电极具备弯折部，该弯折部具有1个以上的弯折点，
该等离子体发生源电极能够在上述弯折部设置待处理的基板。
5.根据权利要求4所述的电感耦合型等离子体基板处理装置，其特征在于，上述等离子体发生源电极具备：
第一电极部，以上述弯折部为基准位于上述基板的上部；以及
第二电极部，以上述弯折部为基准位于上述基板的下部。
6.根据权利要求5所述的电感耦合型等离子体基板处理装置，其特征在于，
上述第一电极部的末端与用于施加射频信号的射频天线连接，而上述第二电极部的末端连接到地线，其中，该射频信号产生电磁场以生成等离子体。
7.根据权利要求4所述的电感耦合型等离子体基板处理装置，其特征在于，
上述弯折部具有2个弯折点，
上述等离子体发生源电极具有形状或反向的形状，并且上述等离子体发生源电极之间设置有上述基板。
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