[发明专利]控制结型场效应晶体管的器件无效
| 申请号： | 201080005548.5 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN102301595A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | S.卡考伊特 | 申请（专利权）人： | 施耐德电器工业公司 |
| 主分类号： | H03K17/00 | 分类号： | H03K17/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 法国吕*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使得能够使用习惯用于控制MOSFET/IGBT的栅极控制电路控制JFET晶体管的器件。该器件包括：由串联的电容器(C1)和栅极电阻器(Rg)组成的第一单元，所述第一单元连接在控制电路(10)的第一输出端(100)与JFET晶体管的栅极(G)之间；由串联的二极管(D1)和放电电阻器(R1)组成的第二单元，所述第二单元连接在第一单元的电容器(C1)与栅极电阻器(Rg)之间，还连接到栅极控制电路(10)的第二输出端(101)。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种控制JFET晶体管的器件，其特征在于，它包含： 包含第一输出端(100)和与JFET晶体管的源极(S)连接的第二输出端(101)的栅极控制电路(10)； 由串联的电容器(C1)和栅极电阻器(Rg)组成的第一组件，所述第一组件连接在控制电路(10)的第一输出端(100)与JFET晶体管的栅极(G)之间；以及 由串联的二极管(D1)和放电电阻器(R1)组成的第二组件，该第二组件一端连接在第一组件的电容器(C1)与栅极电阻器(Rg)之间，而另一端与栅极控制电路(10)的第二输出端(101)连接。
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