[发明专利]控制结型场效应晶体管的器件无效
| 申请号： | 201080005548.5 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN102301595A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | S.卡考伊特 | 申请（专利权）人： | 施耐德电器工业公司 |
| 主分类号： | H03K17/00 | 分类号： | H03K17/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 法国吕*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 场效应 晶体管 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种控制JFET晶体管的器件，其特征在于，它包含：
-包含第一输出端(100)和与JFET晶体管的源极(S)连接的第二输出端(101)的栅极控制电路(10)；
-由串联的电容器(C1)和栅极电阻器(Rg)组成的第一组件，所述第一组件连接在控制电路(10)的第一输出端(100)与JFET晶体管的栅极(G)之间；以及
-由串联的二极管(D1)和放电电阻器(R1)组成的第二组件，该第二组件一端连接在第一组件的电容器(C1)与栅极电阻器(Rg)之间，而另一端与栅极控制电路(10)的第二输出端(101)连接。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述二极管(D1)的取向是从JFET晶体管的源极(S)到栅极(G)导通。
3.如权利要求1和2之一所述的器件，其特征在于，所述栅极控制电路(10)能够输送15伏的电压，以便导通JFET晶体管。
4.如权利要求1至3之一所述的器件，其特征在于，所述JFET晶体管是增强型JFET晶体管。
5.如权利要求1至4之一所述的器件，其特征在于，所述JFET晶体管由碳化硅制成。
6.如权利要求1至4之一所述的器件，其特征在于，所述JFET晶体管由氮化镓制成。
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