[发明专利]用于制备单晶金刚石的高温高压（HPHT）方法在审
| 申请号： | 201080004584.X | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103097011A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | R·A·斯皮茨;C·N·道奇 | 申请（专利权）人： | 六号元素有限公司 |
| 主分类号： | B01J3/06 | 分类号： | B01J3/06;C30B29/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 英国马恩*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 用于合成单晶金刚石的高压高温(HPHT)方法，其中描述了使用具有至少(1)的纵横比和基本上平行于{110}晶面的生长表面的单晶金刚石籽晶。在1280℃-1390℃范围内的温度下进行生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 金刚石 高温 高压 hpht 方法 | ||
【主权项】：
合成单晶金刚石的方法，包括：(a)选择具有生长表面的单晶金刚石籽晶，该生长表面具有两个正交尺度a*和b*，其中a*是在生长表面的平面内基本沿着<100>或<110>方向的生长表面的最长尺度，且b*是在与位于生长表面平面内的a*正交的方向上的生长表面的最长尺度，其中由a*/b*定义的生长表面的纵横比为至少1并且生长表面基本平行于{110}晶面；(b)将籽晶安装在衬底表面之上或之内，使得籽晶的生长表面得到暴露，且籽晶的生长表面基本平行于衬底表面；和(c)在高压高温环境下，于1280℃‑1390℃范围内的温度下在使得在籽晶的至少生长表面上产生单晶金刚石的条件下进行晶体生长；其中，合成的单晶金刚石具有沿着<100>或<110>方向的最长尺度a#，该最大尺度a#超过至少2mm。
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