[发明专利]半导体存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种降低了耗电量、并抑制了元件特性偏差的半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器的制造方法包含通过对层叠在基板(500)的上方的反应性传导材料(504)及非反应性传导材料(505)的露出的侧面进行绝缘物形成处理，从反应性传导材料(504)的侧面使规定长度的反应性传导材料(504)变化成绝缘物(801)，使非反应性传导材料(505)的侧面相对于反应性传导材料(504)的侧面突出而形成突起(804)的工序，绝缘物形成处理是氧化处理或氮化处理，反应性传导材料(504)是通过氧化处理或氮化处理发生化学反应而变化成绝缘物(801)的材料，非反应性传导材料(505)是通过氧化处理或氮化处理不变化成绝缘物(801)的材料。

主权项

一种半导体存储器的制造方法，其包含以下工序：在基板的上方，通过层叠反应性传导材料及非反应性传导材料而形成层叠膜的工序、使所述层叠膜的侧面露出的工序、通过对所述层叠膜的露出的侧面进行绝缘物形成处理，使从所述反应性传导材料的侧面开始的规定长度的所述反应性传导材料变化成绝缘物，从而使所述非反应性传导材料的侧面相对于所述反应性传导材料的侧面突出而形成突起的工序、形成覆盖所述绝缘物及所述突起的半导体层的工序、形成覆盖所述半导体层的对置电极的工序；所述绝缘物形成处理是氧化处理或氮化处理；所述反应性传导材料是通过氧化处理或氮化处理而发生化学反应从而变化成绝缘物的材料；所述非反应性传导材料是通过氧化处理或氮化处理而不变化成绝缘物的材料。