[发明专利]半导体存储器的制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器的制造方法，其包含以下工序：

在基板的上方，通过层叠反应性传导材料及非反应性传导材料而形成层叠膜的工序、

使所述层叠膜的侧面露出的工序、

通过对所述层叠膜的露出的侧面进行绝缘物形成处理，使从所述反应性传导材料的侧面开始的规定长度的所述反应性传导材料变化成绝缘物，从而使所述非反应性传导材料的侧面相对于所述反应性传导材料的侧面突出而形成突起的工序、

形成覆盖所述绝缘物及所述突起的半导体层的工序、

形成覆盖所述半导体层的对置电极的工序；

所述绝缘物形成处理是氧化处理或氮化处理；

所述反应性传导材料是通过氧化处理或氮化处理而发生化学反应从而变化成绝缘物的材料；

所述非反应性传导材料是通过氧化处理或氮化处理而不变化成绝缘物的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其中，

在形成所述层叠膜的工序之前，包含以下工序：

在所述基板上形成绝缘层的工序、

在所述绝缘层上形成蚀刻阻挡层的工序；

在形成所述层叠膜的工序中，

在所述蚀刻阻挡层的上方形成所述层叠膜；

在使所述层叠膜的侧面露出的工序中，

通过从所述层叠膜的上表面到所述蚀刻阻挡层为止地形成孔，由此使所述层叠膜的侧面露出。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其中，

在形成所述层叠膜的工序之前，包含以下工序：

在所述基板上形成布线层的工序、

在所述布线层上形成绝缘层的工序、

从所述绝缘层的上表面到所述布线层为止地形成孔的工序；

在形成所述层叠膜的工序中，

在相当于所述孔的底面的所述布线层、相当于所述孔的侧壁的所述绝缘层及所述绝缘层的上表面形成所述层叠膜；

在使所述层叠膜的侧面露出的工序中，

为了使形成在相当于所述孔的侧壁的所述绝缘层上的所述层叠膜的侧面露出，通过蚀刻除去所述层叠膜的一部分。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其中，

所述层叠膜是在所述反应性传导材料及所述非反应性传导材料中的一方的两面上形成有所述反应性传导材料及所述非反应性传导材料中的另一方的3层结构。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其中，

所述半导体层是电阻变化膜。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其中，

所述半导体层是隧道绝缘膜；

所述对置电极是强磁性体。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其中，

所述反应性传导材料是铝、铜及镁中的至少1种金属、或含有铝、铜及镁中的至少1种的合金、或掺杂有所述合金的单晶硅及多晶硅中的至少1种。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其中，

所述非反应性传导材料是铂、金或银中的至少1种。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其中，

所述绝缘物形成处理是氧化处理；

所述非反应性传导材料是钌、锌、锡、钛、氧化钌、氧化锌、氧化锡、氧化钛及氧化铟锡中的至少1种。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其中，

所述绝缘物形成处理是氧等离子处理或在含有氧元素的化学物质气氛中的加热处理。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器的制造方法，其中，所述绝缘物形成处理是与液体氧化剂的接触处理或氮等离子处理。