[发明专利]CVD装置

摘要

本发明提供一种能够在不导致生产成本的高昂、装置的大型化的情况下飞跃性地提高基座的品质和生产性的CVD装置。在该CVD装置中，在碳质基材(10)的一部分形成有凹状的掩模部(10a)，在将掩模夹具(7)嵌入该掩模部(10a)的状态下向内部导入气体，由此在除了由掩模夹具(7)覆盖的部位以外的碳质基材(10)的表面形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，通过将所述掩模夹具(7)固定于覆膜形成用夹具(2)，从而由覆膜形成用夹具(2)支承所述碳质基材(10)，并且，所述碳质基材(10)的主面相对于铅垂轴(9)的角度为2°。

主权项

一种CVD装置，在板状的碳质基材的一部分形成有凹状的掩模部，在将掩模夹具嵌入该掩模部的状态下向内部导入气体，由此在除了由掩模夹具覆盖的部位以外的碳质基材的表面上形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，通过将所述掩模夹具固定于覆膜形成用夹具，从而由覆膜形成用夹具支承所述碳质基材，并且使所述碳质基材的主面相对于铅垂轴的向上角度大于0°且小于90°。