[发明专利]CVD装置

说明书

技术领域

本发明涉及在碳质基材的整面形成SiC覆膜的CVD装置。

背景技术

例如，在半导体外延生长中使用的基座(suscepter)等由在碳质基材的表面形成有SiC被覆层的材质构成。SiC覆膜向碳质基材表面的形成通常通过使碳化氢那样的含有碳源的卤化有机硅化合物在还原性气流中发生热分解反应而在碳质基材的表面直接蒸镀SiC的CVD法(化学性气相析出法)来进行，但形成的SiC覆膜需要作为没有针孔的极致密且均质的层而被覆在碳质基材的整面。

因此，例如在配置有掩模部的基座中，如图10所示，通过掩模部件61支承碳质基材60，并同时将碳质基材以横置(放倒状态)进行SiC覆膜的形成。但是，在该方法中，具有以下所示的问题。

即，若将碳质基材60以横置进行覆膜形成，则在碳质基材60的锪孔面60a中，在存在灰尘或剥离片等微粒的状态下形成SiC覆膜。当使用成为该状态的基座来进行SiC覆膜的形成时，微粒产生影响而使收纳在锪孔内的晶片在锪孔面内运动，从而与锪孔部的侧面接触，其结果是，在晶片上产生缺口或裂纹，最坏的情况下，产生晶片从锪孔内飞出这样的不良情况。另外，也有因膜厚不均匀而产生颜色不均的问题。

考虑上述情况而提出有如下方案，即，通过将碳质基材悬架于具有比碳质基材的贯通孔的直径小的截面积的旋转支承杆，而使碳质基材的支承接点连续移动(参照下述专利文献1)。根据该提案，能够解决上述课题。然而，在上述专利文献1所示的提案中，仅适用于具有孔的基座，而且额外需要用于使旋转支承杆工作的驱动机构等，从而产生CVD装置的生产成本高昂或导致CVD装置大型化这些新的课题。

因此，如图11所示，提出有基座独立式的CVD装置。具体而言，在该CVD装置中，在前端锥状的支承台50的刀口支承部50a载置安装有掩模部件55的碳质基材51，并利用销52支承碳质基材51的两面。若形成为这种结构，则也能够适用于没有孔的基座，而且，不需要用于使旋转支承杆工作的驱动机构等，因此能够防止CVD装置的生产成本高昂或CVD装置的大型化。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开昭63-134663号公报

然而，在上述的现有结构中，由于是仅利用销52来支承碳质基材51的两面的结构，因此碳质基材51有时会旋转而偏向倾斜方向，甚至倾倒。当碳质基材51如后者那样倾倒时，若仅一个碳质基材51倾倒的话，问题还不那么大，但有时由于一个碳质基材51的倾倒，导致与其相邻的碳质基材51也会倾倒。其结果是，存在多个碳质基材51倾倒而无法形成所希望的SiC覆膜这一课题。另外，由于掩模部件55仅嵌入碳质基材51的凹部，因此在施加有外力的情况下还存在落下的问题。并且，由于支点轨迹形成在基座的外周部，因此也存在在基座的外周部产生裂纹这样的问题。

此外，在CVD装置中，虽然是使支承台50旋转并同时在碳质基材51上形成SiC覆膜的结构，但在CVD装置的内部，在中央部和周边部因距原料气体供给部的距离不同而反应的原料气体的流量、流速不同。因此，当像以往的CVD装置那样将碳质基材51排列成一直线状时，存在因碳质基材51的配置位置的不同而覆膜厚度不同，锪孔面或锪孔的翘曲量极大的课题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种不会导致生产成本高昂或装置的大型化、能够飞跃性地提高基座的品质和生产性的CVD装置。

为了完成上述目的，本发明提供一种CVD装置，在板状的碳质基材的一部分形成有凹状的掩模部，在将掩模夹具嵌入该掩模部的状态下向内部导入气体，由此在除了由掩模夹具覆盖的部位以外的碳质基材的表面上形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，通过将所述掩模夹具固定于覆膜形成用夹具，从而由覆膜形成用夹具支承所述碳质基材，并且使所述碳质基材的主面相对于铅垂轴的向上角度大于0°且小于90°。

若如上述结构那样，碳质基材的主面的相对于铅垂轴的向上角度大于0°，则在支承碳质基材的水平面方向上的面积增加，因此即使在施加少许外力的情况下，也能维持掩模夹具嵌入到碳质基材的掩模部的状态，能够抑制在SiC覆膜形成中碳质基材落下的情况。并且，也能够防止一个碳质基材的落下引起的相邻碳质基材的倾倒。另一方面，由于碳质基材的主面相对于铅垂轴的向上角度小于90°，因此能够抑制在锪孔内积存微粒的情况。因此，在使用基座使半导体外延生长时，能够抑制在晶片上产生缺口或裂纹、或者晶片从锪孔飞出的情况。