[发明专利]半导体发光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201080003286.9 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102301548A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 春日井秀纪;池户教夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;C23C16/34;H01L21/205;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，半导体发光装置具备：在基板(101)上形成的n型覆层(102)；在n型覆层(102)上形成且具有阱层以及障壁层的活性层(105)；在活性层(105)上形成的p型覆层(109)。其中，阱层由含有铟的氮化物半导体构成，且阱层的氢浓度高于n型覆层(102)的氢浓度，且低于p型覆层(109)的氢浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，其特征在于，具备：n型覆层，其形成在基板上；活性层，其形成在所述n型覆层上，并具有阱层以及障壁层；和p型覆层，其形成在所述活性层上，其中，所述阱层由含有铟的氮化物半导体构成，所述阱层的氢浓度高于所述n型覆层的氢浓度且低于所述p型覆层的氢浓度。
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