[发明专利]半导体发光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201080003286.9 | 申请日： | 2010-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102301548A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 春日井秀纪;池户教夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;C23C16/34;H01L21/205;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光装置，其特征在于，具备：
n型覆层，其形成在基板上；
活性层，其形成在所述n型覆层上，并具有阱层以及障壁层；和
p型覆层，其形成在所述活性层上，
其中，所述阱层由含有铟的氮化物半导体构成，所述阱层的氢浓度高于所述n型覆层的氢浓度且低于所述p型覆层的氢浓度。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，
所述阱层的氢浓度比所述n型覆层的氢浓度的2倍要高且为10倍未满，并且所述阱层的氢浓度比所述p型覆层的氢浓度的0.07倍要高且为0.35倍未满。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，
所述阱层的氢浓度高于7×1017cm-3且为3×1018cm-3未满。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，
所述阱层的氢浓度与所述障壁层的氢浓度相等。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，
所述阱层由一般式以InxGa1-xN所表现的化合物构成，其中，0＜x＜1。
6.根据权利要求5所述的半导体发光装置，其中，
所述阱层的铟的组成比为0.1以上。
7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，
所述活性层的铟的偏析密度为1×106cm-2以下。
8.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其中，
所述活性层的光致发光的光的半值幅宽为120meV以下。
9.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
工序(a)，在基板上使n型覆层生长；
工序(b)，在所述工序(a)之后，利用含有氢的载气使活性层生长；和
工序(c)，在所述工序(b)之后，使p型覆层生长，
其中，所述活性层具有阱层以及障壁层，
所述阱层由含有铟的氮化物半导体构成，所述阱层的氢浓度高于所述n型覆层的氢浓度且低于所述p型覆层的氢浓度。
10.根据权利要求9所述的半导体发光装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，使所述阱层的氢浓度比所述n型覆层的氢浓度的2倍要高且为10倍未满，并且使所述阱层的氢浓度比所述p型覆层的氢浓度的0.07倍要高且为0.35倍未满。
11.根据权利要求9所述的半导体发光装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，使所述阱层的氢浓度比7×1017cm-3要高且为3×1018cm-3未满。
12.根据权利要求9所述的半导体发光装置的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，使所述阱层的氢浓度与所述障壁层的氢浓度相等。
13.根据权利要求9所述的半导体发光装置的制造方法，其中，
所述阱层由一般式以InxGa1-xN所表现的化合物构成，其中，0＜x＜1。
14.根据权利要求13所述的半导体发光装置的制造方法，其中，
所述阱层的铟的组成比为0.1以上。
15.根据权利要求9所述的半导体发光装置的制造方法，其中，
所述活性层的铟的偏析密度为1×106cm-2以下。
16.根据权利要求9所述的半导体发光装置的制造方法，其中，
所述活性层的光致发光的光的半值幅宽为120meV以下。
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