[发明专利]太赫兹波辐射元件无效
| 申请号： | 201080003068.5 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102239609A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 大西俊一;谷川达也;泷川信一;田中毅 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种太赫兹波辐射元件，具备：第一氮化物半导体层，其形成在基板上；第二氮化物半导体层，其形成在第一氮化物半导体层上，且与第一氮化物半导体层相比带隙较大；和源极电极、栅极电极以及漏极电极，其形成在第二氮化物半导体层上。源极电极以及漏极电极各自由周期性地配置的多个源极电极指以及漏极电极指构成。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 辐射 元件 | ||
【主权项】：
一种太赫兹波辐射元件，其特征在于，具备：第一氮化物半导体层，其形成在基板上；第二氮化物半导体层，其形成在所述第一氮化物半导体层上，且与所述第一氮化物半导体层相比带隙较大；栅极电极，其形成在所述第二氮化物半导体层上；和源极电极以及漏极电极，其在所述第二氮化物半导体层上按照夹着所述栅极电极相对置的方式而形成，其中，所述源极电极以及所述漏极电极各自由周期性地配置的多个欧姆指构成。
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