[发明专利]太赫兹波辐射元件

权利要求书

1.一种太赫兹波辐射元件，其特征在于，

具备：

第一氮化物半导体层，其形成在基板上；

第二氮化物半导体层，其形成在所述第一氮化物半导体层上，且与所述第一氮化物半导体层相比带隙较大；

栅极电极，其形成在所述第二氮化物半导体层上；和

源极电极以及漏极电极，其在所述第二氮化物半导体层上按照夹着所述栅极电极相对置的方式而形成，

其中，

所述源极电极以及所述漏极电极各自由周期性地配置的多个欧姆指构成。

2.根据权利要求1所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

将所述第一氮化物半导体层的在形成于与该第一氮化物半导体层之间的异质结中产生的二维电子气体的等离子波变换成辐射场。

3.根据权利要求2所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

周期性地配置所述多个欧姆指的该周期∧满足下面的关系式：

∧＝ms/f，

其中，s是所述等离子波的速度，f是所述辐射场的频率，m是自然数。

4.根据权利要求3所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

所述周期∧为1μm以下。

5.根据权利要求2所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

所述栅极电极的栅极长度Lg满足下面的关系式：

Lg＝(2n-1)s/4f，

其中，s是所述等离子波的速度，f是所述辐射场的频率，n是自然数。

6.根据权利要求5所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

所述栅极长度Lg为0.25μm以下。

7.根据权利要求1所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

所述多个欧姆指的指长度与所述栅极电极的栅极长度相同。

8.根据权利要求1所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

所述多个欧姆指的指长度与所述栅极电极的栅极长度相同，并且，

所述栅极电极与在所述多个欧姆指之中位于所述栅极电极的两侧最近的两个欧姆指之间的间距彼此相同。

9.根据权利要求1所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

所述多个欧姆指的指长度与所述栅极电极的栅极长度相同，并且，

所述多个欧姆指的相邻欧姆指之间的间距相同于所述栅极电极与在所述多个欧姆指之中位于所述栅极电极的两侧最近的两个欧姆指之间的间距。

10.根据权利要求1所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

在所述栅极电极与所述源极电极或所述漏极电极之间，周期性地配置有彼此未电连接的多个金属指。

11.根据权利要求1所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

配置有多个该太赫兹波辐射元件，

所述栅极电极、所述源极电极以及漏极电极，经由布线电极在该太赫兹波辐射元件之间进行连接。

12.根据权利要求11所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

所述栅极电极由周期性地配置的多个栅极指构成，

所述栅极指和所述欧姆指交替地进行配置。

13.根据权利要求1所述的太赫兹波辐射元件，其特征在于，

在所述多个欧姆指的指长度方向上，还具备按照与所述多个欧姆指接触的方式所形成的多个布线电极。