[发明专利]MOSFET和制造MOSFET的方法有效
| 申请号： | 201080002563.4 | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102150271A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;原田真;增田健良;穗永美纱子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/318;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种MOSFET 1，包括：碳化硅(SiC)衬底(2)，所述碳化硅(SiC)衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21)，所述半导体层(21)形成在SiC衬底(2)的主表面上；和绝缘膜(26)，所述绝缘膜(26)形成为与半导体层(21)的表面接触。该MOSFET 1具有不大于0.4V/Decade的亚阈值斜率。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOSFET(1，3)，包括：碳化硅衬底(2)，所述碳化硅衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；半导体层(21，31)，所述半导体层(21，31)形成在所述碳化硅衬底(2)的所述主表面上；以及绝缘膜(26)，所述绝缘膜(26)形成为与所述半导体层(21，31)的表面相接触，所述MOSFET(1，3)具有不大于0.4V/Decade的亚阈值斜率。
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