[发明专利]MOSFET和制造MOSFET的方法有效
| 申请号： | 201080002563.4 | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102150271A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;原田真;增田健良;穗永美纱子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/318;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 制造 方法 | ||
1.一种MOSFET(1，3)，包括：
碳化硅衬底(2)，所述碳化硅衬底(2)的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；
半导体层(21，31)，所述半导体层(21，31)形成在所述碳化硅衬底(2)的所述主表面上；以及
绝缘膜(26)，所述绝缘膜(26)形成为与所述半导体层(21，31)的表面相接触，
所述MOSFET(1，3)具有不大于0.4V/Decade的亚阈值斜率。
2.根据权利要求1所述的MOSFET(1，3)，进一步包括一包含氮原子并且夹在所述半导体层(21，31)和所述绝缘膜(26)之间的区域。
3.根据权利要求2所述的MOSFET(1，3)，其中，在距离所述半导体层(21，31)和所述绝缘膜(26)之间的界面10nm或更近的部分处的所述区域中，氮浓度的最大值为1×1021cm-3或更大。
4.根据权利要求1所述的MOSFET(1，3)，其中，所述半导体层(21，31)是由碳化硅形成的。
5.根据权利要求1所述的MOSFET(1，3)，其中，所述碳化硅衬底(2)的所述主表面具有在<11-20>方向的±5°范围内的偏离取向。
6.根据权利要求1所述的MOSFET(1，3)，其中，所述碳化硅衬底(2)的所述主表面具有在<01-10>方向的±5°范围内的偏离取向。
7.根据权利要求6所述的MOSFET(1，3)，其中，所述碳化硅衬底(2)的所述主表面的面取向相对于面取向{03-38}具有不小于-3°且不大于+5°的偏离角。
8.根据权利要求6所述的MOSFET(1，3)，其中，所述碳化硅衬底(2)的所述主表面相对于在<01-10>方向上的(0-33-8)面具有不小于-3°且不大于+5°的偏离角。
9.一种制造MOSFET(1，3)的方法，包括以下各步骤：
制备碳化硅衬底(2)，该碳化硅衬底的主表面相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角；
在所述碳化硅衬底(2)的所述主表面上形成半导体层(21，31)；以及
形成与所述半导体层(21，31)的表面相接触的绝缘膜(26)，
所述MOSFET(1，3)具有不大于0.4V/Decade的亚阈值斜率。
10.根据权利要求9所述的制造所述MOSFET(1，3)的方法，其中，形成所述绝缘膜(26)的步骤包括以下各步骤：
通过干氧化来形成所述绝缘膜(26)；以及
利用含氮原子的气体作为气氛气体来热处理所述绝缘膜(26)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080002563.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
