[发明专利]压电体薄膜及其制造方法、喷墨头、使用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、使用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件以及使用了压电发电元件的发电方法有效

专利信息
申请号: 201080001737.5 申请日: 2010-01-13
公开(公告)号: CN102113145A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 张替贵圣;足立秀明;藤井映志 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L41/09 分类号: H01L41/09;B41J2/045;B41J2/055;B41J2/16;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/34;G01C19/56;G01P9/04;H01L41/113;H01L41/18;H01L41/22;H01L41/24
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供包括不含铅的强介电材料的压电体薄膜,即,表现出与锆钛酸铅(PZT)同等水平的高压电性能的压电体薄膜及其制造方法,本发明的压电体薄膜具备有(001)取向的LaNiO3膜、由有(001)取向,用化学式ABO3(A用(Bi,Na)1-xCx(0≤x<1)表示,B是Ti或者TiZr,C是Na以外的碱金属)表示的化合物构成的界面层、有(001)取向的(Bi,Na,Ba)TiO3膜,顺序叠层所述LaNiO3膜、所述界面层以及所述(Bi,Na,Ba)TiO3膜。
搜索关键词: 压电 薄膜 及其 制造 方法 喷墨 使用 形成 图像 角速度 传感器 测定 发电 元件 以及
【主权项】:
一种压电体薄膜、其特征在于,具备有(001)取向的LaNiO3膜;由有(001)取向,用化学式ABO3(A用(Bi,Na)1‑xCx(0≤x<1)表示,B是Ti或者TiZr,C是Na以外的碱金属)表示的化合物构成的界面层;以及有(001)取向的(Bi,Na,Ba)TiO3膜,顺序叠层了所述LaNiO3膜、所述界面层以及所述(Bi,Na,Ba)TiO3膜。
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