[发明专利]压电体薄膜及其制造方法、喷墨头、使用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、使用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件以及使用了压电发电元件的发电方法有效
申请号: | 201080001737.5 | 申请日: | 2010-01-13 |
公开(公告)号: | CN102113145A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 张替贵圣;足立秀明;藤井映志 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L41/09 | 分类号: | H01L41/09;B41J2/045;B41J2/055;B41J2/16;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/34;G01C19/56;G01P9/04;H01L41/113;H01L41/18;H01L41/22;H01L41/24 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 薄膜 及其 制造 方法 喷墨 使用 形成 图像 角速度 传感器 测定 发电 元件 以及 | ||
1.一种压电体薄膜、其特征在于,
具备
有(001)取向的LaNiO3膜;
由有(001)取向,用化学式ABO3(A用(Bi,Na)1-xCx(0≤x<1)表示,B是Ti或者TiZr,C是Na以外的碱金属)表示的化合物构成的界面层;以及
有(001)取向的(Bi,Na,Ba)TiO3膜,
顺序叠层了所述LaNiO3膜、所述界面层以及所述(Bi,Na,Ba)TiO3膜。
2.根据权利要求1所述的压电体薄膜,其特征在于,
x=0,而且B是Ti。
3.根据权利要求1所述的压电体薄膜,其特征在于,
还具备金属电极膜,
所述LaNiO3膜形成在所述金属电极膜上。
4.根据权利要求3所述的压电体薄膜,其特征在于,
所述金属电极膜由Pt构成。
5.根据权利要求1所述的压电体薄膜,其特征在于,
还具备基板,
所述LaNiO3膜形成在所述基板上。
6.根据权利要求5所述的压电体薄膜,其特征在于,
所述基板由Si构成。
7.一种制造压电体薄膜的方法,其特征在于,
包括
通过溅射法,形成有(001)取向的LaNiO3膜的工序;
在所述LaNiO3膜上通过溅射法,形成由有(001)取向,用化学式ABO3(A用(Bi,Na)1-xCx(0≤x<1)表示,B是Ti或者TiZr,C是Na以外的碱金属)表示的化合物构成的界面层的工序;
以及
在所述界面层上,通过溅射法形成有(001)取向的(Bi,Na,Ba)TiO3膜,得到顺序叠层所述LaNiO3膜、所述界面层以及所述(Bi,Na,Ba)TiO3膜的压电体薄膜的工序。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,
x=0,而且B是Ti。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,
所述LaNiO3膜形成在金属电极膜上。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,
所述金属电极膜由Pt构成。
11.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,
所述LaNiO3膜形成在所述基板上。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,
所述基板由Si构成。
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