[发明专利]压电体薄膜及其制造方法、喷墨头、使用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、使用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件以及使用了压电发电元件的发电方法有效

专利信息
申请号: 201080001737.5 申请日: 2010-01-13
公开(公告)号: CN102113145A 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 张替贵圣;足立秀明;藤井映志 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L41/09 分类号: H01L41/09;B41J2/045;B41J2/055;B41J2/16;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/34;G01C19/56;G01P9/04;H01L41/113;H01L41/18;H01L41/22;H01L41/24
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 压电 薄膜 及其 制造 方法 喷墨 使用 形成 图像 角速度 传感器 测定 发电 元件 以及
【权利要求书】:

1.一种压电体薄膜、其特征在于,

具备

有(001)取向的LaNiO3膜;

由有(001)取向,用化学式ABO3(A用(Bi,Na)1-xCx(0≤x<1)表示,B是Ti或者TiZr,C是Na以外的碱金属)表示的化合物构成的界面层;以及

有(001)取向的(Bi,Na,Ba)TiO3膜,

顺序叠层了所述LaNiO3膜、所述界面层以及所述(Bi,Na,Ba)TiO3膜。

2.根据权利要求1所述的压电体薄膜,其特征在于,

x=0,而且B是Ti。

3.根据权利要求1所述的压电体薄膜,其特征在于,

还具备金属电极膜,

所述LaNiO3膜形成在所述金属电极膜上。

4.根据权利要求3所述的压电体薄膜,其特征在于,

所述金属电极膜由Pt构成。

5.根据权利要求1所述的压电体薄膜,其特征在于,

还具备基板,

所述LaNiO3膜形成在所述基板上。

6.根据权利要求5所述的压电体薄膜,其特征在于,

所述基板由Si构成。

7.一种制造压电体薄膜的方法,其特征在于,

包括

通过溅射法,形成有(001)取向的LaNiO3膜的工序;

在所述LaNiO3膜上通过溅射法,形成由有(001)取向,用化学式ABO3(A用(Bi,Na)1-xCx(0≤x<1)表示,B是Ti或者TiZr,C是Na以外的碱金属)表示的化合物构成的界面层的工序;

以及

在所述界面层上,通过溅射法形成有(001)取向的(Bi,Na,Ba)TiO3膜,得到顺序叠层所述LaNiO3膜、所述界面层以及所述(Bi,Na,Ba)TiO3膜的压电体薄膜的工序。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,

x=0,而且B是Ti。

9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,

所述LaNiO3膜形成在金属电极膜上。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,

所述金属电极膜由Pt构成。

11.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,

所述LaNiO3膜形成在所述基板上。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,

所述基板由Si构成。

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