[实用新型]高基频晶体谐振器无效
申请号: | 201020648030.0 | 申请日: | 2010-12-08 |
公开(公告)号: | CN201869177U | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 刘尊伟;邹飞 | 申请(专利权)人: | 郑州原创电子科技有限公司 |
主分类号: | H03H9/19 | 分类号: | H03H9/19 |
代理公司: | 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 | 代理人: | 徐皂兰 |
地址: | 450016 河南省郑州市经济*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高基频晶体谐振器,包括石英晶片,在石英晶片上设置铝电极,在所述铝电极上设置银膜层,所述石英晶片为凹形;所述铝电极为扇形或条形。本实用新型在铝电极上蒸镀银层,防止铝电极氧化,同时便于离子刻蚀进行频率检验。 | ||
搜索关键词: | 基频 晶体 谐振器 | ||
【主权项】:
一种高基频晶体谐振器,包括石英晶片(1),在石英晶片(1)上设置铝电极(3),其特征在于:在所述铝电极(3)上设置银膜层(2),所述石英晶片(1)为凹形。
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