[实用新型]高基频晶体谐振器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶体谐振器，具体涉及一种高基频晶体谐振器。

背景技术

随着微波通讯、卫星、航天、雷达等技术的发展，高基频石英晶体越来越广泛地被商业和军事所应用。由于是基音石英晶体，相比于高次泛音晶体（如3次泛音或5次泛音），同一频率的晶体，其厚度是后者的1/3或1/5，且由于频率很高，因此其晶片本身的质量很小。现有的高基频晶体谐振器大都采用密度很小的（约为银的1/4）铝作为电极材料，但铝很易氧化，氧化后的铝电极不易进行频率校验。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种高基频晶体谐振器，在铝电极上蒸镀银层，防止铝电极氧化，同时便于离子刻蚀进行频率检验。

为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种高基频晶体谐振器，包括石英晶片，在石英晶片上设置铝电极，其中，在所述铝电极上设置银膜层，所述石英晶片为凹形。

进一步，所述铝电极为扇形或条形。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型用银膜覆盖铝电极，防止铝电极的氧化，便于后续的离子刻蚀；由于本实用新型的石英晶片只能约0.01mm左右，石英晶片采用凹形结构，可以有效增加晶片强度。

本实用新型的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本实用新型的实践中得到教导。本实用新型的目标和其他优点可以通过下面的说明书或者附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

图1为本实用新型的剖面示意图。

具体实施方式

下面通过具体实施例并结合附图对本实用新型做进一步的详细描述：

如图1所示，本实用新型包括石英晶片1，真空室条件下，在石英晶片1上蒸镀铝电极3，然后在铝电极3上蒸镀银膜层2，银膜层2可有效防止铝电极氧化。为增加强度，石英晶片1为凹形。铝电极（3）为扇形或条形。

以频率为150MHz的高基频晶体谐振器为例，故石英晶片1的厚度依据标称频率计算，只有，很薄，故为增加强度，石英晶片1采用凹形结构，实际石英晶片1频率为152.6MHz±120kHz，在真空条件下先蒸镀铝电极3，使石英晶片1频率降低到149.67MHz±120kHz，再在铝电极3上蒸镀银膜层2，使石英晶片1频率降低到149.0MHz±120kHz（使频率略低于标称频率）。离子刻蚀的方法校频，就是氩离子轰击银膜层2，轰击掉部分银膜层2，使石英晶片1频率的中心值逐步回升到标称频率（150MHz±5kHz）。采用物理方法即离子刻蚀的方法进行频率微调，该方法是在离子刻蚀设备上进行，其优点是：频率控制精度高，易于批量生产。

最后说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案所做的其他修改或者等同替换，只要不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。