[实用新型]一种大功率致冷片有效
| 申请号： | 201020561579.6 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN201819471U | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 温汉军 | 申请（专利权）人： | 常山县万谷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 俞润体 |
| 地址： | 324200 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种大功率致冷片，包括两片分别作为散热绝缘基板和导冷绝缘基板的陶瓷片，陶瓷片上设有若干导流片，导流片上焊接有P型半导体晶粒和N型半导体晶粒，陶瓷片呈正方形，陶瓷片的边长为49.8～50.2mm，导流片有286～290片，P型半导体晶粒及N型半导体晶粒和导流片的数量相同。陶瓷片为氧化铍陶瓷片。本实用新型在一定大小的陶瓷片上能安装下更多的P型半导体晶粒和N型半导体晶粒，从而提高了致冷片的功率。同时通过采用导热系数较大的氧化铍陶瓷片，大大地提高了半导体致冷片的导热效率，从而使半导体致冷片能更快地加热或致冷，有效提高半导体致冷片的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 致冷 | ||
【主权项】：
一种大功率致冷片，包括两片分别作为散热绝缘基板和导冷绝缘基板的陶瓷片（1），所述的陶瓷片（1）上设有若干导流片（2），导流片（2）上焊接有P型半导体晶粒（3）和N型半导体晶粒（4），其特征在于所述的陶瓷片（1）呈正方形，陶瓷片（1）的边长为49.8～50.2mm，所述的导流片（2）有286～290片，所述的P型半导体晶粒（3）及N型半导体晶粒（4）和导流片（2）的数量相同。
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