[实用新型]可控LED无效
| 申请号： | 201020546652.2 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN201853736U | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 吴英;向毅;江永清;李斌;周兆英 | 申请（专利权）人： | 重庆科技学院 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/14 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所 50211 | 代理人： | 余锦曦 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种可控LED，包括硅基底层、第一电极和第二电极，其特征在于：所述硅基底层的上端面生成有衬底，该衬底的上端面设置所述第一电极和第二电极，所述衬底的上端面还设置有CVD生长纳米条，该CVD生长纳米条的一端连接所述第一电极，CVD生长纳米条的另一端连接所述第二电极，所述第一电极和第二电极上分别连接有LED管脚；所述第一电极和第二电极之间的衬底和CVD生长纳米条上还覆盖有氧化铝层；所述氧化铝层上生成有第一控制脚和第二控制脚。其显著效果是：能够生成纳米尺度的激光和单光子光源，可产生与目前光纤网络广泛使用的光波一致的光。 | ||
| 搜索关键词： | 可控 led | ||
【主权项】：
一种可控LED，包括硅基底层（1）、第一电极（3a）和第二电极（3b），其特征在于：所述硅基底层（1）的上端面生成有衬底（2），该衬底（2）的上端面设置所述第一电极（3a）和第二电极（3b），所述衬底（2）的上端面还设置有CVD生长纳米条（4），该CVD生长纳米条（4）的一端连接所述第一电极（3a），CVD生长纳米条（4）的另一端连接所述第二电极（3b），所述第一电极（3a）和第二电极（3b）上分别连接有LED管脚（5）；所述第一电极（3a）和第二电极（3b）之间的衬底（2）和CVD生长纳米条（4）上还覆盖有氧化铝层（6）；所述氧化铝层（6）上生成有第一控制脚（7a）和第二控制脚（7b）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆科技学院，未经重庆科技学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020546652.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
