[实用新型]可控LED

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于发光LED，具体而言是一种亮度可控的LED。

背景技术

传统的变压器式传感器，主要有三种结构类型：一是变气隙型、二是变截面型、三是螺管型。

LED被广泛应用于照明，显示等领域，随着LED的发展，传统的LED主要为单晶硅芯片结构，这种结构只能单片集成光探测，不能单片集成光发射。因此，在制造微激光器、发光二极管等光纤设备时，还必须采用其它材料，如砷化镓来发送和接收光脉冲信号，难以实现硅基全光系统的集成化制作。

现有技术的显著缺点是：传统LED无法生成纳米尺度的激光和单光子光源。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种可控LED，可生成纳米尺度的激光和单光子光源。

为达到上述目的，本实用新型提供了一种可控LED，包括硅基底层、第一电极和第二电极，其关键在于：所述硅基底层的上端面生成有衬底，该衬底的上端面设置所述第一电极和第二电极，所述衬底的上端面还设置有CVD生长纳米条，该CVD生长纳米条的一端连接所述第一电极，CVD生长纳米条的另一端连接所述第二电极，所述第一电极和第二电极上分别连接有LED管脚；

所述第一电极和第二电极之间的衬底和CVD生长纳米条上还覆盖有氧化铝层；

所述氧化铝层上生成有第一控制脚和第二控制脚。

纳米材料具有准一维结构，是一种具有潜力的光敏感材料。而且，利用CVD生长纳米条研制光信号发射器LED，这种基于纳米材料制成的可控LED，就能够生成纳米尺度的激光和单光子光源，可产生与目前光纤网络广泛使用的光波一致的光。并且，如果改变纳米材料的尺寸，还可以产生不同波长，也就意味着多种颜色的光束。

通过第一控制脚和第二控制脚向纳米条施加电场，通过电场控制纳米条的能带分布，影响电子与空穴的复合程度，从而控制LED的发光亮度。

所述第一电极和第二电极为钛电极。

所述第一控制脚和第二控制脚为钛脚。

所述衬底为二氧化硅层。

所述氧化铝层为三氧化二铝。

所述硅基底层掺杂有磷和硼。使硅基底层可形成底电极，充当栅极，实现LED的调制。

本实用新型的显著效果是：

一、能够生成纳米尺度的激光和单光子光源；

二、可产生与目前光纤网络广泛使用的光波一致的光，有利于实现硅基全光系统的集成化制作；

三、通过电场控制纳米条的能带分布，形成亮度可控的LED；

四、改变纳米材料的尺寸，还可以产生不同波长，形成多种颜色的光束。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是图1的俯视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。

如图1、2所示：

一种亮度和色彩可控的可控LED，设置有硅基底层1、第一电极3a和第二电极3b，所述硅基底层1的上端面生成有衬底2，该衬底2的上端面设置所述第一电极3a和第二电极3b，所述衬底2的上端面还设置有CVD生长纳米条4，该CVD生长纳米条4的一端连接所述第一电极3a，CVD生长纳米条4的另一端连接所述第二电极3b，所述第一电极3a和第二电极3b上分别连接有LED管脚5；

所述第一电极3a和第二电极3b之间的衬底2和CVD生长纳米条4上还覆盖有氧化铝层6；

所述氧化铝层6上生成有第一控制脚7a和第二控制脚7b。

通过第一控制脚7a和第二控制脚7b向纳米条施加电场，通过电场控制纳米条的能带分布，影响电子与空穴的复合程度，从而控制LED的发光亮度。

所述第一电极3a和第二电极3b为钛电极。

所述第一控制脚7a和第二控制脚7b为钛脚。

所述衬底2为二氧化硅层。

所述氧化铝层6为三氧化二铝。

所述硅基底层1掺杂有磷和硼。使硅基底层1可形成底电极，充当栅极，实现LED的调制。

尽管以上结构结合附图对本实用新型的优选实施例进行了描述，但本实用新型不限于上述具体实施方式，上述具体实施方式仅仅是示意性的而不是限定性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不违背本实用新型宗旨及权利要求的前提下，可以做出多种类似的表示，如更改CVD生长纳米条4的形状，第一电极3a和第二电极3b、第一控制脚7a和第二控制脚7b的材质等，以及三氧化二铝上控制脚的数量变化等，这样的变换均落入本实用新型的保护范围之内。