[实用新型]集成电路中的缺陷监测用结构有效
| 申请号： | 201020525817.8 | 申请日： | 2010-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN202008987U | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 储佳 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种集成电路中的缺陷监测用结构，该结构包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的凹陷状结构，其中，该结构呈线状结构或线形分布的点状结构或其组合，所述结构中线状结构或线形分布的点状结构或其组合呈任意方向分布和排列，所述凹陷状结构形成于一个曝光区中。本实用新型提出的集成电路中的缺陷监测用结构及其制造方法，解决现有技术中在设备校准、检测、监控时无法直接对划痕缺陷进行分类校准的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 中的 缺陷 监测 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路中的缺陷监测用结构，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的凹陷状结构，其中，该结构呈线状结构或线形分布的点状结构或其组合，所述结构中线状结构或线形分布的点状结构或其组合呈任意方向分布和排列，所述凹陷状结构形成于一个曝光区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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